Альтернатива кремнию: ученые преодолели препятствия в создании полупроводников на оксиде галлия
Японские исследователи из Нагойского университета решили технологические трудности с использованием оксида галлия (Ga₂O₃) в полупроводниках.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: